精准控制蚀刻工艺，INFICON残余气体分析仪助力半导体制造精准又高效

蚀刻是芯片制造中的关键步骤，通过在硅晶圆上**地去除或沉积材料，构建出所需的结构。该工艺通常以基片为起点，基片上覆盖氧化层并涂布光刻胶。在光刻过程中，光线照射会改变光刻胶性质，使其在显影后形成特定图案，进而指导后续蚀刻，*终在芯片上构建出精细结构。

随着工艺节点进入3纳米及以下，环绕栅极（GAA）结构正逐步取代FinFET，成为半导体设计的重要演进方向。这也对蚀刻工艺提出了更高要求，需要从传统的二维蚀刻转向复杂的三维结构加工，实现垂直与横向的多向蚀刻。

选择性蚀刻是指在去除特定材料的同时，保留其他材料不受影响。这种能力对于构建GAA等先进芯片结构尤为关键。在极微小的尺度下，任何细微偏差都可能影响器件性能与良率，因此控制蚀刻速率与选择性成为制造过程中的核心挑战。

INFICON在传感器技术与实时气体分析方面的专业能力，为优化蚀刻过程提供了重要支持，助力满足下一代半导体器件的制造需求。

内森·格拉夫

英福康应用开发工程师

INFICON的Transpector APX质谱仪专为应对先进蚀刻过程中的严苛环境而设计。其采用特殊涂层并配备加热功能，即使在非常苛刻工艺条件下也能保持稳定可靠。

通过实时气体分析，制造商能够深入掌握蚀刻过程中发生的化学反应，从而优化工艺参数，提升对蚀刻速率与选择性的控制精度。这项能力对于改进选择性蚀刻工艺至关重要。

INFICON的传感器在实时化学监测中发挥着关键作用，为理解蚀刻过程的复杂动态提供了重要窗口。它们使制造商能够实时观察并调整工艺，确保实现*佳性能与产品质量。借助这些先进工具，制造商能够更深入地理解蚀刻过程的复杂性，从而提高器件一致性，降低工艺变异。

INFICON与多家集成器件制造商（IDM）紧密合作，共同完善蚀刻工艺。通过深入理解蚀刻过程的动态变化，我们帮助客户显著提升工艺控制水平与器件质量。这些合作使IDM能够优化蚀刻速率与选择性，确保其芯片满足3纳米以下技术的严格要求，也体现了INFICON持续推动半导体技术进步的决心。

随着半导体行业不断向更小节点迈进，蚀刻工艺正面临更多挑战与**机遇。在精度与选择性要求不断提升的背景下，制造商必须妥善应对这些复杂因素，以确保器件性能与质量。在这个过程中，**蚀刻技术的作用愈发关键。